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电子元器件详细资料 » IC[99] » QS8M12TCR
型号:QS8M12TCR类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C42 毫欧 @ 4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs3.4nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds250pF @ 10V
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装TSMT8
包装Digi-Reel®

供应商

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